制定DRAM的标准规格的JEDEC(美国的电子工业会EIA下部组织，半导体的标准化团体)，正式宣布了下代存储器“DDR4”的发展图。DDR4每大头针传输速率从1.8Gbps提升到3.2Gbps，2009年出样品，2010和2011年的正式发布的目标。到DDR3为止的DRAM接口和同样一边继承技术。

JEDEC制作的内存发展流程图

　　另一方面，更新了传送技术的下一代DRAM“NGM(Next Generation Memory)”的研发也开始进行。NGM Diff(Differential Signaling)，由于微分的方式的signaling技术的采用，达到最高6.4Gbps/秒的传输速率。

　　多核心化的存储器频带的扩张成为了CPU制造厂的首选，对DDR4和NGM Diff的两技术的动向寄予厚望。当然，NGM Diff作为目标的有效距离，Cell Broadband Engine(Cell B.E.)采用了Rambus的XDR DRAM一样。NGM Diff，也能与XDR DRAM抗衡。但是，XDR DRAM，似乎抓住了除PLAYSTATION 3(PS3)以外很多顾客的心。

　　JEDEC的存储模块，解决了DDR3的2个question。1个，从在服务器的“Fully Buffered DIMM(FB-DIMM)”向“Registered DIMM(RDIMM)”摇动返还。再1个，是从在桌面PC的“Unbuffered DIMM”向Registered DIMM转移的可能性。JEDEC的Bill Gervasi先生(Vice President, Engineering, USModular/Chairman, JEDEC JC-45.3)，是7月从22至24日San Jose召开的存储器和存储技术的conference“MEMCON07 San Jose”，介绍了包含了DDR4的构造图和DDR3代的组件的一些情况。

Samsung表示了的流程图

　　上面，是以MEMCON07 San JoseJEDEC规格化的走势图。JEDEC的Gervasi先生，以MEMCON的session为例简单说明了下。

　　DDR3每针有1,600Mbps成就tsutsu，下面的DDR4每针3.2Gbps速度。使规格化的钥匙，为了每(DRAM世代的转移的)各阶段，达成下面的表演水平做必要的变更，以最小限度的实现就行。这个进化性的转变非常重要。到目前为止的DDR3为上的转移，进化性的经过很好地工作了。

　　基本SDRAM以后，DDR，DDR2，DDR3和DDR4，每一代传输速率都是翻倍的。但是，AMD的DDR2-1066和Intel开始计划的DDR3到2,133Mbps，现在看来没有什么反应了。因为这只是JEDEC的本来的发展图开始的形式的规格和建议。