Impresslogo
Yeskylogo
Impressimage
您当前的位置:  Impress Watch中文站 > 个人电脑
Impressimage
独家曝光Intel下一代CPU Penryn内部示意图
作者:若杉纪彦  出处:Impress watch  责任编辑:Roger [ 2007-01-30 13:21 ]
美国Intel公司于当地时间26号,正式发布了其最新的45nm工艺代号为Penryn的四核心处理器已经试制成功……
编译自: http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0129/intel.htm

  美国Intel公司于当地时间26号,正式发布了其最新的45nm工艺代号为Penryn的四核心处理器已经试制成功。

  Penryn处理器可以说是当前主流的Core 2(Conroe/Merom)系列处理器的后继产品,在设计上也基本延续了Core 2和Core的微架构,不过增大了缓存容量(最大为12MB),此外也增加了CPU指令集SSE4的支持。

 

Penryn所需晶原片

 

  在制作工艺上Penryn采用了最新的45nm工艺,high-k闸极电介质和门绝缘膜的组合使得晶体管制作技术上有了突破性的发展。

 

点击放大此图片
 晶体管示意图

 

  到目前为止,在过去40年的时间里门绝缘膜都是由二氧化硅材质,但进入65nm时代后,门绝缘膜的厚度变为1.2nm,虽然厚度上明显减少,但新问题也出现了就是厚度减少所带来的闸极电介质漏电增加,这样在热能上就产生了浪费的情况。

  为了解决以上问题,Intel将注意力转移到采用铪金属的high-k闸极电介质,较厚的high-k闸极电介质可以将漏电减少到先前的1/10水平。

 

high-k闸极电介质和金属闸极照片

 

  另外由于high-k闸极电介质与当前的多晶硅搭配工作性能并不十分出色,于是Intel引入了全新的金属负荷材质与之搭配。据悉high-k闸极电介质和金属闸极的搭配可以将驱动电流增加20%以上,也就意味着提升了晶体管的效率。另外也可以有效的削减漏电情况,防漏能力约有5倍的提升。不过Intel目前并没有公布金属名称。

 

 双核心 Penryn内部示意图

 

  Intel同时宣布,从2007年下半年开始,采用45 nm/300 mm的晶原片将在D1D(美国俄勒冈州)和Fab 32(美国亚利桑那州)率先开始生产,自2008年起还将引入到Fab 28(以色列)进行生产。




欢迎投稿 | 关于我们 | 网站律师 | 电子杂志 | RSS订阅 | 友情合作 | 加入我们 | 网站地图
设定Impress Watch中文站设为首页
Copyright 2006 Impress Watch Corporation, an Impress Group company. 版权为Impress Watch和天极网络共同所有 未经许可 禁止转载
商务联系、网站内容、合作建议:总机021-53086749 Powered by 天极内容管理平台CMS4i