在JEDEC规格制定和产品普及的时间表
●明年春季可看到最新动向
很久之前JEDEC就开始通过非正式的“NGM(NewGenerationMemory)”对外展示高速存储器规格的相关设想。NGM的想法是在高速化上采用两种不同的信号方式。但是目前相关的想法只有在最近举行的Micron Technology出现了一下。同时通过JEDEC的内部峰会我也无法预测会做出什么样的发展。
不过我听说NGM曾经是DDR3内存的候选标准。不在DDR3内存方面,NGM也曾反对微分信号方言式。因此可以推测此次两种方式并行发展应该是一个折中的方案。
而在今年举行的一年一度的WinHEC大会上可以看到两个发展计划都在进行中。应该说Micron，WinHEC算得上是DDR3时代的代表，而通过WinHEC获得的信息以及发展路线图来看两种规格将会并行发展。同时从三星半导体的路线图来看，DDR4只是被作为DDR3内存的继任者。因此在目前这个阶段，两种标准的产品同时发展似乎是受到了DRAM厂商的一致认可。同时根据存储器业界人氏的消息，虽然是两种规格，但是相关的研发却不会一分为二。
每隔2～3年容量就会倍增的DRAM
DRAM频带宽度每隔3年左右也会提升2倍
不过现在，DDR4内存将会分为传统SE信号和微分信号的两种规格产品已经基本上确定了。同时从相关的产品命名来看，也与Micron的路线图很接近。因此 这个折中的方案算是真正被采用了。但是现在DDR4内存究竟会朝哪个方向发展还处于迷雾之中。一般来说NGM的Micron则主要推动向微分信号方向发展，但是三星公司在之前就已经提出过要发展串行接口DRAM的想法，并且对高速DRAM的开发有着很高热情。
