对DDR3 SDRAM的呼声已经越来越高了，而各大内存厂商也都积极的开始准备自家的产品。尽管如此DDR2 SDRAM也评轮番的降价来争夺最后的市场，与之相比DDR3在成本竞争力方面明显不足。同时主板厂商也需要时间去准备即将到来的DDR3内存。

　　尽管芯片组可以支持DDR2/DDR3 SDRAM内存，但两者在容量上的对比非常明显。不过总整个产品线来看的话，只支持DDR3 SDRAM的主板还主要出现在特定或专业用途的高端产品中。

　　本次用于测试的内存是Buffalo在上月发布的D3/1066系列内存。根据资料表明可以支持DDR3-1066，容量方面有着1GB和512MB等不同版本。本次测试时选择的是512MBX2进行测试。对于DDR3-1066来说7T相当于13.1ns，而DDR2-800 5T相当于12.5ns。

　　CFD已经发售了DDR3内存，不过测试的是Buffalo的内存。

　　上面为1GB下面为512MB内存。单面设计相同但1GB为双面颗粒设计。

　　内存上ELPIDA和J5308BASE-AC-E字样。

　　DDR2和DDR3都采用了240针脚设计，但缺口位置并不相同。上面放置的是DDR3内存

　　通过EVEREST测试得到的参数中，有一处比较奇怪的地方。在表1中可以看到，在Write Recovery方面DDR3-1066工作时为8T。

　　如果以ELPIDA站点的数据表格为参考的话，三星DDR3 SDRAM内存的对应值，最大Write Recovery Time为15ns，这基本与8T吻合。不过在图表2内却达到了18T。

　　同样的事情也发生在和Intel DP35DP搭配的DDR2 SDRAM测试时，在SPD界面内Write Recovery在DDR2-800频率工作的时候为6T(15ns)，不过却显示为14T(35ns)。