推动NAND发展的技术
尽管NAND闪存的增长是非常迅速的，但到目前为止的PC平台来说并不是非常重要的部分。不过可以作为USB存储或数码相机记忆媒体使用，也弥补了其功用的不足，由于市场的扩大所带来的更好的性价比，使不需要太多成本增加的前提下，就可以获得更高速访问几GB存储的便捷，因此对于PC平台来说，NAND也有着不容取代的作用。
而PC平台和NAND闪存的合并却已经开始了，首先是Microsoft的ReadyBoost/ReadyDrive技术，另外还有Intel的Robson Technology(Intel Turbo Memory)，这些技术的相同点就是把NAND作为了技术的核心，其优点也非常明显。可以实现PC高速启动和省电设计等优点也势必会普及，不过本次WinHEC展会的主角，最为重要的还在于展会上技术会议提到的Solid State Drive(SSD)的应用，这也昭示了NAND的未来。
PC平台NAND的合并点，如同Robson一样可以支持多规格硬盘，SSD也就有了发展空间。
采用半导体材质的硅磁盘有着多样的类型和用途，不过时下最热门的还是NAND闪存的SSD，这一有可能取代现有磁盘设计的产品。硅材质的磁盘可以实现如同HDD一样的性能，而在性能方面的优势也非常明显，数据等待和头文件查找等对于SSD来说，数据访问速度更快，由此也产生了disk cache的设想。
不过对于数据传送带宽，虽然可以实现比HDD更加稳定的性能，但并没有明显超越HDD的表现，而在功耗上的降低却是显著的。在原理上除了可以避免震荡和冲击外，没有噪音等优点也成为其最大亮点。
另外一点就是占用空间更加少，目前主流的HDD一般在1.8英寸和2.5英寸，相比较SSD则可以进行专为节省空间的设计，SSD也可以避免故障的发生，笔记本的身材也自然可以更加小巧。不过这些都期待在将来实现，短期内HDD也仍会是主流。
SSD并不全是优点，其不足就是制作成本过高，与HDD相比的话更加明显了。目前32GB的SSD主流更加适合商务应用，而容量的不足也完全可以通过和HDD组合的方式来解决。不过这样也就没有了上面提到的优势。
另外一个大问题就是NAND的写入次数限制，NAND闪存进行1bit的记录SLC NAND闪存(SLCSingle Level Cell)，1电池实现2bit的记录则需要MLC NAND闪存，这也就是目前NAND的两种设计。MLC可以更好控制字节操作，但可靠性和性能与SLC相比较弱，重复刷写次数SLC为10万次左右，而MLC为1万次。
MLC和SLC差异对比示意图。
另外这样的表现还反映在制造流程的细微化处理方面，如果作为PC的首选存储设备的话就需要特别注意了，如果经常和HDD一样进行磁盘碎片整理的话，很有可能就达到了NAND闪存刷写上限。
在Microsoft的软件方面，有着自动识别存储设备为HDD或SSD的ID识别，SDD连接的情况下就不会使用HDD的磁盘碎片整理程序，硬件方面一个SDD的SLC分配组合，包括文件管理区域被频繁操作的SLC和MLC部分，而DRAM的写入部分也有着相应的设计。
如果目前就开始使用SSD的话，MLC将会被大量使用而SSD的容量也将逐渐增大，性价比会逐渐提高，而普及也成为了期待的事。2007年还将是SSD设备酝酿的一年，也许进入2008年就会普及吧，总之在不远的将来，SSD势必会夺得现有1.8英寸HDD的市场。而NAND闪存的SSD也会成为存储的主流。
