此外，关于制造方面，曝光技术上迄今为止采用的是利用65nm波长的193nm DRY曝光、抑制漏电的“Dummy devices”、漏电时由正确晶体管直角部分来抑制没有必要的电力消耗的“Alternating Phase Shift Masks”等。关于液浸曝光等已采用32nm之后的工艺了。
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此前的曝光技术只是根据收差无法来正确描绘直角绘线 |
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由于插入了Dummy devices使得漏电减少 |
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可根据Alternating Phase Shift Masks来正确撰写晶体管 |
作为今后的展望，打算采用同轴电缆状的晶体管以及晶体管周围3面的GATE相围，从而减少漏电TRY GATE。
