●45nm工艺是史上最大的革新

　　24日在都内召开的记者说明会上，赴日的美国总部研究人员Paolo Gargini说明了使用45nm工艺的新技术等。

　　Paolo表示，45nm工艺是“晶体管历史上最大的革新”。就其原因而言，最新使用的铪系High-k素材和metal gate，降低了漏电提高了开关速率。

　　在过去的40年中，Gate绝缘膜的材料中采用了SiO2。但是在90nm之后这种绝缘膜的厚度达到1.2nm，大约4个分子的薄厚，达到了极限。也因此增加了电流流量，使得消耗的电力也增加了。

　　采用45nm工艺的High-k绝缘膜厚达3.0nm，比原来的约厚3倍，通过与metal gate相结合，使漏电量成为原来的5分之1，绝缘膜上的漏电量减少为原来的10分之1。此外，晶体管开关的消耗电力也减少了30%，启动时间加快了20%以上。

　　与当前的65nm工艺产品相比较，相同漏电时约可提高晶体管性能20%以上。相同晶体管性能下则可以降低5分之1的漏电。Paolo还表示:“45nm工艺制造出的Penryn可实现更高的性能，Silverthorne则可实现超低的电力消耗”。