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  • Intel继45nm工艺之后全面进入无铅时代
    • 作者:刘尧  出处:Impress Watch  责任编辑:严弢  [ 2007-05-25 10:29 ]
    • 在采用了High-k以及metal gate,45nm工艺之后的生产的处理器以及以65nm工艺生产的芯片组已经实现了全面无铅……
    编译自:http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0524/intel.htm

     

    无铅制造的CPU 

      

     

     Penryn公司的保罗(Paolo)

      

      美国Intel公司22日(当地时间)发布消息,在采用了High-k以及metal gate,45nm工艺之后的生产的处理器以及以65nm工艺生产的芯片组已经实现了全面无铅。

      英特尔公司在过去的40年间,不断研究开发配合环境需求的生产方法,自2004年销售了铅使用量比前作减少95%的CPU与芯片组后,第一次在将硅素和包装基板接合使用的突起电极上使用了铅(约0.02g)。

      作为预计在2007年后半年投产的Core 2 Quad/Duo、以及Xeon(编码名:Penryn)的代替材料,可使用锡-银-铜的合金在摄氏220度以上的高温下进行溶接从而实现无铅化。

      45nm工艺的处理器首先于2007年后半年在美国俄勒冈州的D1D、亚利桑那州的Fab32被生产。在2008年前半年以色列的Fab 28、2008年后半年则在新墨西哥州的Fab 11X被开展。

     

     将硅素和包装基板接合使用的突起电极上除去了铅

      

     

    为使用锡-银-铜的合金必须在220度以上的高温下进行接合 

      
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    TMG

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