今后发展方向
45nm既是一个新时代的开始，同时也是一个新的挑战，因为今后的每次技术改进都将变的更加困难，据悉将会逐步经历32nm、22nm、16nm和11nm这样的过程，45nm不过是一个新的起点，当然CMOS的发展也成为这些过渡的必经之路。
未来的技术发展如果在同样材料应用的情况下，加工技术和晶体管材料以及构造革新和线路层材质的加工方法都将进入细微化过程。而中间这些过程势必要带来材质的革新、工艺改进和全新的构造等过程。
也就是说尽管是最新的技术，但在发展的同时还是可以依照摩尔定律来预测今后的趋势，晶体管材质和构造的改进，以及多层线路的加工方式和曝光技术都有待改进。
可以预测的是High-k材质和金属闸设计都将继续采用，当同时立体构造的晶体管SOI(silicon-on-insulater)。这些摩尔先生在2003年ISSCC就已经预测的内容也都将出现。线路层和线路间绝缘膜感应电率的降低等改进也将继续。IBM和AMD以及TSMC等厂商也将不停追赶45nm并逐步进入32nm世代。
摩尔先生在2003年对ISSCC的预测
高感应电导和性能以及低功率的整合
Intel 32nm时代
技术革新之路
