High-k材质催生45nm

　　在保留当前晶体管构造的同时，如果能够解决泄露电流的话，唯一的途径就是采用更厚的闸绝缘膜，当采用了更厚的膜的话，就需要更有穿透力的电子。在高感应电率的High-k材质出现后，这些问题都变的迎刃而解了。

　　尽管如此对于半导体厂商，寻找最佳的High-k材质就成了重中之重，其中各种各样的材质通过何等的比例化合就成了试验的主要操作，在反复试验后，在65nm时代也受到了High-k的限制，而Intel和IBM终于在High-k的帮助下进入了45nm时代。

　　Intel的45nm工艺，由于采用了High-k绝缘膜和闸金属开关所以在稳定性上有了基本的保证。而据Intel公司的说明表示45nm工艺可以减少1/10的削弱闸泄露电流，同时也可以减少最大1/5的S-D泄露电流消耗，并可以提升20%的晶体管开关速度。当然电力消耗方面也可以减少30%。

　　Intel在65nm时代，IBM和AMD也都采用了同样的硅晶片以增加通道，某种程度上这样的材质也成为细微化所必须的过程，但同时电力消耗变的更大，这也成为无法解决的根本问题之一。

　　但45nm工艺迎来High-k材质，一方面解决了闸绝缘膜厚度这个CMOS需要解决的根源问题。同时在摩尔先生的书面声明中也提到了由于High-k材质的应用，是继60年代后多晶硅进入半导体领域内的又一大突破，同时也带来了45nm的飞跃。

　　45nm技术优点

　　High-K金属闸门晶体管

　　High-K的优势

　　High-K的特征