在关于Intel最新的45nm工艺CPU的介绍时，最经常见到的就是Intel对45nm工艺和其所采用的High-k材质的说明，而这样的设计也可以有效地减低晶体管漏电等情况的发生。我们知道Intel最为强大的就是依靠庞大的投资来维持其尖端产品的开发，不过在本次的新品发布上，Intel却对其加工工艺进行了重点介绍，这当然和其营销方式有很大关系，但同时也表明了在工艺上Intel的全面改进。

　　在新品的发布方面，Intel似乎有意强调其加工工艺，其中自然意味着技术方面的飞跃，但同时也体现出Intel的自信，对45nm工艺Intel有着非比寻常的信心。而一切都体现出了这样一点，那就是从45nm开始，Intel又开始踏上了全新的技术改进的征程。

　　High-k材质所带来的全新金属闸极技术使PPW获得提高

　　 参与45nm的生产设备群

　　Intel半导体技术发展的方向

　　90～32nm的SRAM芯片测试

　　在经历了130nm(0.13μm)阶段后，CPU的热消耗功率也遭遇到前所未有的挑战，因为热消耗功率很难降低下来，而同时性能的提升也更加困难，CPU的也进入了停滞状态。分析其根本原因，和传统的CMOS设计成为瓶颈有着直接关系。

　　Intel和IBM等半导体厂商，在同时也开始了全新的CMOS标准的研发阶段，而2年内集成度为2倍改进的摩尔法则也依旧成立，但摩尔法则已经不单单是对晶体管的尺寸的法则，而是对驱动电压和门氧化厚度等要素都适合。这也就迫切要求全新的CMOS出现。

　　经过更加细微化工艺改进后，和前代产品相比驱动电压已经降低为0.7倍，而同样尺寸的CPU，半导体的尺寸也变为先前的0.5倍，热消耗功率也降低为先前的一半，时钟频率却达到了先前的1.4倍。下面是更加详细的改进介绍。

　　▲CPU主频更高(1.4倍)

　　▲CPU功率更低(一半)

　　▲根据CPU支持更多功能(2倍)

　　▲CPU成本更低(相同CPU)