MRAM目前也存在着一些问题，首先是其制造工艺比较复杂，其容量很难得到提升，其次就是MRAM上市时间还洚，其市场还需要培育。目前已经有采用0.18μm制程的4Mbit MRAM产品上市了，预计到2008年将会有采用0.13μm制程的16Mbit MRAM进入量产，与现在使用60nm～70nm，容量达到2Gbit的 DRAM相比，MRAM的容量不足显得比较明显。

现在已经出货的4Mbit MRAM

　  目前MRAM主要应用在车载设备和航空宇宙设备设备中，这与MRAM耐高温的特性有关，另外，由于MRAM对外部磁场比较敏感，因此现在出货的MRAM的包装内部有专门的屏蔽层。

　  再过几年，半导体的制程将会迈向30nm，界时，电池备份技术将很难坚持，MRAM只要突破了容量的限制，其未来的发展前景还是相当好的。