MRAM实际读写次数没有限制

    MRAM由于采用了MTJ的基本原理1对的晶体管MTJ被构成的MRAM，比起SRAM和EEPROM在成本方面有利，其磁场极性不像电荷那样会随着时间而泄漏,因此即使在断电的情况下,也能存储信息，另外在两种状态之间转换磁场极性时,不会发生电子和原子的实际移动，从而相关数据也不会丢失。MRAM还有一个特性就是耐高温，在实验室环境中，其可以在150℃中环境连续使用20年。
　
　　就“读取速度”而言， MRAM及 SRAM的速度最快，同为 25～100n s，不过， MRAM仍比 SRAM快； DRAM则为 50～100n s

　 现在市场上出货的MRAM产品，与SRAM的管脚兼容，与SRAM相比，由于不需要使用电池备份，因此MRAM的成本要低。