我们现在所接触到的被众多电脑厂商所使用的DRAM内存产品实际上早在上世纪60年代的时候就被IBM开发成功了，到了上世纪70年代，英特尔首次将其成功的实现了产业化。

　 DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM"，也就是我们所常说的动态随机存储器，基本结构是一只MOS管和一个电容构成，由于成本低，价格便宜，并且其数字擦写和读取次数没有限制，因此DRAM一直牢牢占据了内存市场。而现在风头正劲的NAND闪存产品由于存在读写次数限制，因此不可能成为电脑的主内存。

   其实DRAM也存在着不少问题，主要是数据在DRAM 中只能保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。 在断电的情况下，DRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。
   为了解决DRAM的问题，相关专业人员开发了许多新的内存技术，特别是近几年来，研究人员开始对MRAM进行了研究。

●什么是MRAM

　 MRAM应该属于下一代存储技术，它的全称为“Magnetoresistive Random Access Memory”(磁阻随机存取内存)，2006年7月在世界第一次自由比例尺蝉conductor开始了商务出货。我想把有关在这里2007年7月31日自由比例尺蝉conductor召开了的MRAM的研讨会的内容做为中心，关于MRAM预先归结。

　 MRAM的单元结构以TMR元件(（也称TMJ，Magnetic Tunnel Junction——磁性隧道结）上连接晶体管的选择晶体管型为主流，也称1T1MTJ型。由于可用晶体管对每个单元进行控制，因此耗电量低，且速度快。

　  MRAM在掉电后,MRAM仍可以保持存储数据内容完整,MRAM中每个存储元件采用磁隧道结(MTJ)设备来进行数据存储。MTJ由固定磁层、薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时,被磁层极化的电子会通过一个称为穿遂(Tunneling)的过程,穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时,MTJ设备具有低电阻;而当自由层的磁矩方向与固定层反向平行(anti-parallel)时,则具有高电阻。随着设备磁性状态的改变,电阻也会变化,这种现象就称为磁阻,“磁阻”RAM也因此得名。

　 当切断电源后，磁化方向不再变化，也因此数据就可以得到保持，目前认为，其数据保持期间可以长达20年以上。

MTJ基本工作原理